N沟道场效应管

2SK3666-4-TB-E

2SK3666-4-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7914

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRF640N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ34N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4393LT1G

MMBF4393LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF5457

MMBF5457

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

BF556A,215

BF556A,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:7 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRF630N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 300.0mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1010EZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3717

IRF3717

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8736

IRF8736

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFBA1405P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.0mΩ
  • Id: 174A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4020

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

2N5564-2

电气特性 Features

Configuration:Dual
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管

IRF5801PBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-12-28 Tag标签:N沟道场效应管