N沟道场效应管

IRFBA1404P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.7mΩ
  • Id: 206A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3704ZCS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
  • Id: 67A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-35143-TR2G

ATF-35143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

BF513,215

BF513,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ44NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
  • Id: 47A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFL024Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 57.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7540

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
  • Id: 110A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7468

IRF7468

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 15.5mΩ
  • Id: 9.0A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-33143-BLKG

ATF-33143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4310Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 127A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6726M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7853

IRF7853

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 18.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

BF861B,215

BF861B,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML0060

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 92.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-06-16 Tag标签:N沟道场效应管