N沟道场效应管

IRFH5007

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS41N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • Id: 41A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-35143-TR2G

ATF-35143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

2SK2394-6-TB-E

2SK2394-6-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ113

MMBFJ113

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-35 V
Maximum Drain Gate Voltage:35 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

2SK209-GR(TE85L,F)

2SK209-GR(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:6.5 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

2SK715V

2SK715V

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFL024Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 57.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3713

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS38N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 54.0mΩ
  • Id: 44A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ620,115

PMBFJ620,115

电气特性 Features

Configuration:Dual
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU4615

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 42mΩ
  • Id: 24A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP90N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
  • Id: 94A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管