N沟道场效应管

IRLH6224

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3705Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6618

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU4510

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 45A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

3SK263-5-TG-E

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Gate
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:8 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFL4310

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP3006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-541M4-TR1

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR2905Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.5mΩ
  • Id: 59A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2907Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 170A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7530-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
  • Id: 240A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5250

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.15mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6622

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管