N沟道场效应管

IRLU2905Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR4615

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 42.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ34NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
  • Id: 30A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7437-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
  • Id: 295A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,235

BFR30,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8301M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.5mΩ
  • Id: 192A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-3-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5302D

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB42N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 55.0mΩ
  • Id: 42.6A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

BF256B

BF256B

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB8721

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
  • Id: 62A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7107

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
  • Id: 75A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7434-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 362A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

BSR57

BSR57

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3077

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-14 Tag标签:N沟道场效应管