场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
- Qg(Typ): 120.0nC
- Rth(JC): 0.75K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 200W
- Id@TC 25C: -40A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
- Id: 208A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: -32.0mΩ
- Qg(Typ): 12.0nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.8mΩ
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -12V
- Vgs: 8V
- RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
- Qg(Typ): 91.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
- Id: 90A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.7mΩ
- Id: 81A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
- Id: 13A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
- Qg(Typ): 38.7nC
- Rth(JC): 1.9K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 66W
- Id@TC 25C: 13A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 17.9mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
- Id: 210A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 65℃/W
更新于 2026-03-08