场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 50V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 200mΩ
- Rth(JA): 50℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 160.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 9.4nC
- Qg Typ P-ch: 10.0nC
- Qgd Typ N-ch: 3.1nC
- Qgd Typ P-ch: 2.8nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 78.0mΩ
- Id: 24A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 92.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
- Id: 104A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
- Id: 19A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
- Id: 56A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
- Id: 21A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.4mΩ
- Id: 72A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.8mΩ
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.4mΩ
- Rth(JA): 40℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
- Id: 97A
更新于 2026-03-08