电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 40.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 103.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 27.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 64.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 6.8nC
- Qg Typ P-ch: 8.1nC
- Qgd Typ N-ch: 0.98nC
- Qgd Typ P-ch: 2.1nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
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电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ,Qg Typ N-ch: 22.0nC,Qg Typ P-ch: 23.0nC,Qgd Typ N-ch: 6.4nC,Qgd Typ P-ch: 5.9nC,Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 60A双集成电源模块,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 18.4℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 400mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 98mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W