场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.7mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
- Id: 84A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ
- Qg(Typ): 75nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
- Id: 320A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 0.70mΩ
- Id: 270A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 12.8mΩ
- Id: 35A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 290.0mΩ
- Qg(Typ): 44.0nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 110W
- Id@TC 25C: -13A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 105.0mΩ
- Id: 18A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
- Id: 135A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
- Id: 94A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 80V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
- Id: 82A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 90mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
- Id: 280A
更新于 2025-11-06