场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
- Id: 97A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
- Id: 250A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
- Id: 51A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 80V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 28.0mΩ
- Id: 39A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 30mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 173A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
- Id: 43A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
- Id: 94A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
- Id: 86A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 11.3m?Ω
- Rth(JA): 62.5(JA)℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
- Id: 45A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
- Qg(Typ): 42.0nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 110W
- Id@TC 25C: -31A
更新于 2026-07-30