更新于 2025-12-27
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 16.9mΩ
- Rth(JA): 62.5 (Q2)℃/W
IRF8513
相关文章
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 100V,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 55℃/W
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 160mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 13.7mΩ,Rth(JA): 62.5 (Q2)℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 80V,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 50℃/W