更新于 2025-07-07电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 175.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 110.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 200.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 7.8nC
- Qg Typ P-ch: 7.5nC
- Qgd Typ N-ch: 2.5nC
- Qgd Typ P-ch: 2.5nC
- Rth(JA): 100℃/W
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- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 55V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 65.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 170.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 105.0mΩ,Qg Typ N-ch: 24.0nC,Qg Typ P-ch: 26.0nC,Qgd Typ N-ch: 7.0nC,Qgd Typ P-ch: 8.4nC,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vgs(Max): 20V,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 135mΩ,Rth(JA): 100℃/W
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 90mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双P沟道MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 18mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W