更新于 2025-12-27电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 65mΩ
- Qg(Typ): 42nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 89W
- Id@TC 25C: -18A
相关文章
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 13.5m?,RDS(on) Max@4.5V: 22.0mΩ,Qg(Typ): 75.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ,Qg(Typ): 42.0nC,Rth(JC): 1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C: 89W,Id@TC 25C: -28A
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 7.2m?,RDS(on) Max@4.5V: 11.2mΩ,Qg(Typ): 34.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -55V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 105mΩ,RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ,Qg(Typ): 31nC,Rth(JC): 1.9K/W,Power Dissipation@TC 25C: 79W,Id@TC 25C: -14A
- P沟道功率MOS管,Vbrdss: -40V,Vgs: 20V,RDS(on) Max@10V: 15.0m?,RDS(on) Max@4.5V: 25.0mΩ,Qg(Typ): 73.0nC,Rth(JC): 50 (JA)K/W