N沟道场效应管

IRFH5306

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.1mΩ
  • Id: 45A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,215

BFR30,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

BF256B

BF256B

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3709Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
  • Id: 87A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7473

IRF7473

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4110

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2907ZS-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3713

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-541M4-TR1

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:5 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFL4315

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 185.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1607

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
  • Id: 142A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3805S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.6mΩ
  • Id: 240A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL4010

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFU310LT1G

MMBFU310LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4710

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
  • Id: 72A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-01 Tag标签:N沟道场效应管