N沟道场效应管

IRF2805

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 175A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-331M4-TR1

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ309LT1G

MMBFJ309LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2N4392

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5025

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
  • Id: 32A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR540Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 28.5mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM831

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
  • Id: 47A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5304

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU13N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 235mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

J211_D74Z

J211_D74Z

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3709Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2505

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 104A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2203N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-33143-BLKG

ATF-33143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管