N沟道场效应管

IRFHM830

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

BF512,235

BF512,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR7740

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.2mΩ
  • Id: 87A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7171M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 93A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7403

IRF7403

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ111,215

PMBFJ111,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:-40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

2SK715W

2SK715W

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM4234

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-33143-TR2G

ATF-33143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRLIZ34N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
  • Id: 20A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7463

IRF7463

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

BF556A,215

BF556A,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:7 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7807VPBF-1

IRF7807VPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7480M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.2mΩ
  • Id: 217A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6614

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.3mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管