N沟道场效应管

IRFS3306

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2807S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
  • Id: 82A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB812

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 500V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2200.0mΩ
  • Id: 3.6A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR8729

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.9mΩ
  • Id: 58A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5006

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-55143-TR1G

ATF-55143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR3715Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 49A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB7534

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 195A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2910

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • Id: 48A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3717

IRF3717

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2805

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 175A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7739L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
  • Id: 270A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-38143-BLKG

ATF-38143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-4 V
Maximum Drain Gate Voltage:-4 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3796-3-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3103

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 19mΩ
  • Id: 29A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-17 Tag标签:N沟道场效应管