N沟道场效应管

IRFSL7762

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.7mΩ
  • Id: 85A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

BF256B

BF256B

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

BF556A,235

BF556A,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:7 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:-30 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7488

IRF7488

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 80V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 29.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7440

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
  • Id: 125A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM831

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
  • Id: 47A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4115-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.8mΩ
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM8228

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
  • Id: 65A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ201

MMBFJ201

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML2803TRPBF-1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 250.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

3SK264-5-TG-E

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Gate
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Gate Source Voltage:8 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP250M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
  • Id: 30A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5020

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 55.0mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7468

IRF7468

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 15.5mΩ
  • Id: 9.0A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0035-50,112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150 V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-02 Tag标签:N沟道场效应管