N沟道场效应管

MMBFJ309

MMBFJ309

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF540ZL

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 26.5mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH3702

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.1mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4321

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
  • Id: 83A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM8329

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.1mΩ
  • Id: 57A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3713S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

BFR30,235

BFR30,235

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRLB4030

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 4.3mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-34143-TR1G

ATF-34143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFIZ34N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
  • Id: 19A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0035S-100PU

电气特性 Features

Configuration:Dual Common Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1018ES

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 79A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-55143-TR2G

ATF-55143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL7430

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 409A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB33N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 56.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-05 Tag标签:N沟道场效应管