N沟道场效应管

IRFR1010Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
  • Id: 91A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-38143-TR1G

ATF-38143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:4.5 V
Maximum Continuous Drain Current:145 mA
Maximum Gate Source Voltage:-4 V
Maximum Drain Gate Voltage:-4 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4368

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 350A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB41N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
  • Id: 41A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-22-TB-E

2SK932-22-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7483M

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
  • Id: 135A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7545

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
  • Id: 85A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR2905Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 13.5mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6795M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.8mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM830

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3705Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4212

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 72.5mΩ
  • Id: 18A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRLL2703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU13N20D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 235mΩ
  • Id: 9.5A
N沟道场效应管 更新于 2026-01-02 Tag标签:N沟道场效应管