场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.9mΩ
- Id: 100A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 90.0mΩ
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 18mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 170.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
- Id: 17A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
- Id: 43A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 205.0mΩ
- Qg(Typ): 38.7nC
- Rth(JC): 1.9K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 66W
- Id@TC 25C: 13A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
- Id: 317A
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 40.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 103.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 27.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 64.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 6.8nC
- Qg Typ P-ch: 8.1nC
- Qgd Typ N-ch: 0.98nC
- Qgd Typ P-ch: 2.1nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 26.5mΩ
- Id: 36A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
- Id: 270A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
- Id: 60A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 42.0mΩ
- Id: 33A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
- Id: 18A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
- Id: 64A
更新于 2026-09-28