肖特基二极管

BAT54JW

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT54JW内部电路图

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肖特基二极管 更新于 2025-12-28 Tag标签:肖特基二极管

HSMS-2860-TR1G

HSMS-2860-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:UHF|SHF
Maximum Diode Capacitance:0.3(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Typical Video Resistance:5 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:25@5.8GHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-55@5.8GHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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BAS70

BAS70

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS70内部电路图

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肖特基二极管 更新于 2025-12-28 Tag标签:肖特基二极管

BAS70DW-04

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS70DW-04内部电路图

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肖特基二极管 更新于 2025-12-28 Tag标签:肖特基二极管

RB717F

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB717F内部电路图

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肖特基二极管 更新于 2025-12-28 Tag标签:肖特基二极管

HSMS-2850-TR2G

HSMS-2850-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:2 V
Frequency Range:UHF
Maximum Diode Capacitance:0.3(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.25@1mA V
Typical Video Resistance:8 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:40@915MHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-57@915MHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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BAR43A

BAR43A

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAR43A内部电路图

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BAT64-04

BAT64-04

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT64-04内部电路图

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肖特基二极管 更新于 2025-12-28 Tag标签:肖特基二极管

B0530WS

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    B0530WS内部电路图

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肖特基二极管 更新于 2025-12-28 Tag标签:肖特基二极管

B5818WS

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    B5818WS内部电路图

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SD101CWS

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    SD101CWS内部电路图

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RB501V-40

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB501V-40内部电路图

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肖特基二极管 更新于 2025-12-28 Tag标签:肖特基二极管

B5819W

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    B5819W内部电路图

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肖特基二极管 更新于 2025-12-28 Tag标签:肖特基二极管

HSMS-2863-TR2G

HSMS-2863-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Dual Common Anode
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:UHF|SHF
Maximum Diode Capacitance:0.3(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Typical Video Resistance:5 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:25@5.8GHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-55@5.8GHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
肖特基二极管 更新于 2025-12-28 Tag标签:肖特基二极管

BAS70W-06

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS70W-06内部电路图

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