BAS70BRW

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS70BRW内部电路图

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BAT64-05

BAT64-05

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT64-05内部电路图

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MBRX0560

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    MBRX0560内部电路图

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HSMS-285B-TR2G

HSMS-285B-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:2 V
Frequency Range:UHF
Maximum Diode Capacitance:0.3(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.25@1mA V
Typical Video Resistance:8 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:40@915MHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-57@915MHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No

BAS40V

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS40V内部电路图

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SD103CW

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    SD103CW内部电路图

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RB521S-30

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB521S-30内部电路图

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RB751S-40

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB751S-40内部电路图

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B0530WS

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    B0530WS内部电路图

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BAT54WS

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT54WS内部电路图

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RB551V-30

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB551V-30内部电路图

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BAS70T

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAS70T内部电路图

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RB751G-40

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB751G-40内部电路图

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HSMS-286B-TR2G

HSMS-286B-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:UHF|SHF
Maximum Diode Capacitance:0.25(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Typical Video Resistance:5 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:25@5.8GHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-55@5.8GHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No

HSMS-2862-TR1G

HSMS-2862-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Dual Series
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:UHF|SHF
Maximum Diode Capacitance:0.3(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Typical Video Resistance:5 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:25@5.8GHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-55@5.8GHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No