肖特基二极管

BAT54SDW

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT54SDW内部电路图

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肖特基二极管 更新于 2025-09-16 Tag标签:肖特基二极管

MMBD301

MMBD301

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    MMBD301内部电路图

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SD101BW

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    SD101BW内部电路图

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BAR43A

BAR43A

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAR43A内部电路图

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B2020W

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    B2020W内部电路图

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B0530WS

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    B0530WS内部电路图

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B1040WS

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    B1040WS内部电路图

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HSMS-8209-BLKG

HSMS-8209-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Quad Cross Over
Minimum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:X|Ku
Maximum VSWR:1.2(Typ)
Maximum Conversation Loss:6.3(Typ) dB
Maximum Diode Capacitance:0.26 pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Maximum IF Impedance:150(Typ) Ohm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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MBRX0530

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    MBRX0530内部电路图

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RB501V-40

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB501V-40内部电路图

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RB501G-40

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    RB501G-40内部电路图

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SMS7621-517

电气特性 Features

Configuration:Dual Parallel
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:2(Min) V
Frequency Range:SHF
Maximum Diode Capacitance:0.25(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.32@1mA V
Maximum Power Dissipation:75 mW
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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HSMS-2860-BLKG

HSMS-2860-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:UHF|SHF
Maximum Diode Capacitance:0.3(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Typical Video Resistance:5 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:25@5.8GHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-55@5.8GHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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BAT54V

电气特性 Features

  • 类型: 开关二极管
  • Pd = 350mW
  • Io = 150mA
  • Vr = 75V
  • Vf = 1.25V
  • Ir = 1uA
  • Trr = 4ns
  • 内部电路图:
    BAT54V内部电路图

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HSMS-2862-TR2G

HSMS-2862-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Dual Series
Type:Schottky Diode
Maximum Reverse Voltage:4 V
Frequency Range:UHF|SHF
Maximum Diode Capacitance:0.3(Typ) pF
Maximum Forward Voltage:0.35@1mA V
Typical Video Resistance:5 kOhm
Typical Voltage Sensitivity:25@5.8GHz mV/uW
Typical Tangential Sensitivity:-55@5.8GHz dBm
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
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