N沟道场效应管

CLF1G0060-10U

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150(Min) V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6798M

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 197A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3206

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:1.4 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3007

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 12.6mΩ
  • Id: 80A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB33N15D

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 56.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRL8113S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 105A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP2907

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 209A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM830

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

BFR31,215

BFR31,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3707Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.5mΩ
  • Id: 39A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRLZ34N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
  • Id: 27A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR220N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 200V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
  • Id: 5A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

BF511,215

BF511,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3415

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 42.0mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管