N沟道场效应管

IRL3803

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 120A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2807S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
  • Id: 82A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP7430

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
  • Id: 404A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-551M4-TR2

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8307

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

MX2N4856

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 200 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS7530-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
  • Id: 240A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU7546

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
  • Id: 71A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2805S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
  • Id: 135A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3713

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFU3704Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRL3705Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3305

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
  • Id: 140A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
  • Id: 340A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管

SMMBF4393LT1G

SMMBF4393LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Gate Source Voltage:30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-10 Tag标签:N沟道场效应管