N沟道场效应管

IRFB4615

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 39.0mΩ
  • Id: 35A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

BF512,215

BF512,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:20 V
Maximum Continuous Drain Current:30 mA
Maximum Drain Gate Voltage:20 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS4410

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
  • Id: 96A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR3709ZC

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
  • Id: 86A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

CPH3910-TL-E

CPH3910-TL-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6665

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 62.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

SI4420DY

SI4420DY

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1104L

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRLMS2002

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1405Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
  • Id: 150A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2204

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6711S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

BSR58,215

BSR58,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:80 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4610

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
  • Id: 73A
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管

BFR31,215

BFR31,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-09-15 Tag标签:N沟道场效应管