N沟道场效应管

IRFH5015

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 31.0mΩ
  • Id: 56A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM4234

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
  • Id: 63A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0035-50,112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150 V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-33143-TR2G

ATF-33143-TR2G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5.5 V
Maximum Continuous Drain Current:305 mA
Maximum Gate Source Voltage:-5 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 V
Operating Temperature:-65 to 160 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU024N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 65mΩ
  • Id: 11A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5104

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6711S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.8mΩ
  • Id: 84A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF1310NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
  • Id: 42A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-24-TB-E

2SK932-24-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU3636

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 6.8mΩ
  • Id: 70A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

BSR56,215

BSR56,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:40 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6631

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3306

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.2mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310LT3G

MMBFJ310LT3G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3610S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.6mΩ
  • Id: 103A
N沟道场效应管 更新于 2025-07-08 Tag标签:N沟道场效应管