N沟道场效应管

IRFS4615

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 42.0mΩ
  • Id: 33A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFS3207

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
  • Id: 180A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ310LT1G

MMBFJ310LT1G

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:25 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFSL3004

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
  • Id: 340A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

PMBFJ310,215

PMBFJ310,215

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:25 V
Maximum Gate Source Voltage:-25 V
Maximum Drain Gate Voltage:-25 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ48ZS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
  • Id: 61A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRLL2703

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFR2307Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
  • Id: 53A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH8202

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.05mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8327S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRF7749L1

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 60V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.5mΩ
  • Id: 200A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRLU8743

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.1mΩ
  • Id: 113A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

2SK3666-2-TB-E

2SK3666-2-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:30 V
Maximum Continuous Drain Current:10 mA
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-54143-TR1G

ATF-54143-TR1G

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:120 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3709S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
  • Id: 90A
N沟道场效应管 更新于 2026-03-11 Tag标签:N沟道场效应管