N沟道场效应管

IRF6646

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 80V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 9.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFZ44Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 55V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
  • Id: 51A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

ATF-55143-BLKG

ATF-55143-BLKG

电气特性 Features

Configuration:Single Dual Source
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:5 V
Maximum Continuous Drain Current:100 mA
Maximum Gate Source Voltage:1 V
Maximum Drain Gate Voltage:-5 to 1 V
Operating Temperature:-65 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

2SK715W

2SK715W

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Through Hole
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF2804S-7P

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
  • Id: 320A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

MMBFJ202

MMBFJ202

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-40 V
Maximum Drain Gate Voltage:40 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH4234

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 25V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
  • Id: 60A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3708

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
  • RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
  • Id: 62A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRLML6344

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 12V
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH7446

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 40V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 117A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB4229

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 250V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 46.0mΩ
  • Id: 46A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFHM830D

电气特性 Features

  • 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.3mΩ
  • Id: 40A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

MMBF4393

MMBF4393

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Gate Source Voltage:-30 V
Maximum Drain Gate Voltage:30 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRL520N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 180.0mΩ
  • Id: 10A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFP4310Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 6.0mΩ
  • Id: 134A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管