N沟道场效应管

IRL2203N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
  • Id: 100A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

2SK932-23-TB-E

2SK932-23-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRLR8743

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.1mΩ
  • Id: 160A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF8707

IRF8707

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFB3077

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 75V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
  • Id: 210A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRL2910S

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
  • Id: 55A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

2SK208-Y(TE85R,F)

2SK208-Y(TE85R,F)

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Continuous Drain Current:3 mA
Maximum Drain Gate Voltage:50 V
Operating Temperature:-55 to 125 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFH5300

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 30V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRFI4410Z

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 30V
  • RDS(on) Max@10V: 9.3mΩ
  • Id: 43A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRL540NS

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRL540N

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 100V
  • Vgs: 16V
  • RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
  • Id: 36A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF3315

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 150V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 70.0mΩ
  • Id: 21A
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

IRF6636

电气特性 Features

  • N沟道功率MOS管
  • Vbrdss: 20V
  • Vgs: 20V
  • RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

2SK2394-7-TB-E

2SK2394-7-TB-E

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:15 V
Maximum Continuous Drain Current:50 mA
Maximum Drain Gate Voltage:-15 V
Operating Temperature:-55 to 150 ℃
Mounting:Surface Mount
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管

CLF1G0035-50,112

电气特性 Features

Configuration:Single
Channel Type:N
Maximum Drain Source Voltage:150 V
Maximum Gate Source Voltage:3 V
Operating Temperature:-65 to 250 ℃
Mounting:Screw
Rad Hard:No
N沟道场效应管 更新于 2026-08-08 Tag标签:N沟道场效应管