场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
- Id: 409A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
- Id: 133A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -12V
- Vgs: 8V
- RDS(on) Max@4.5V: 14.0mΩ
- Qg(Typ): 38nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
- Id: 90A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 173A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
- Id: 28A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
- Id: 100A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
- Id: 65A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
- Id: 166A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 25V
- RDS(on) Max@10V: 19.4mΩ
- Qg(Typ): 14.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 280.0mΩ
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 140.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 270.0mΩ
- RDS(on)@2.7V N-ch: 200.0mΩ
- RDS(on)@2.7V P-ch: 400.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 5.3nC
- Qg Typ P-ch: 5.4nC
- Qgd Typ N-ch: 2.2nC
- Qgd Typ P-ch: 2.4nC
- Rth(JA): 100℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 42.0mΩ
- Id: 43A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 23mΩ
- Id: 40A
更新于 2025-11-14