场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
- Id: 65A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
- Id: 47A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
- Id: 48A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 37.0m?
- RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
- Qg(Typ): 6.9nC
- Rth(JC): 13K/W
- Id@TC 25C: -13A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
- Id: 170A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 117A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
- Qg(Typ): 18.0nC
- Rth(JC): 3.1K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 48W
- Id@TC 25C: -6.8A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.25mΩ
- Id: 400A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 35.0mΩ
- Id: 20A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
- Id: 41A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
- Id: 37A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
- Id: 160A
更新于 2026-08-01