场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
- Id: 100A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
- Qg(Typ): 18.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 55℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 600mΩ
- Id: 3.5A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 56.0mΩ
- Id: 33A
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 160.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 9.4nC
- Qg Typ P-ch: 10.0nC
- Qgd Typ N-ch: 3.1nC
- Qgd Typ P-ch: 2.8nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
- Qg(Typ): 12.7nC
- Rth(JC): 3.3K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 45W
- Id@TC 25C: -12A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
- Id: 70A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.7mΩ
- Id: 180A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.7mΩ
- Id: 50A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
- Id: 159A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
- Qg(Typ): 38.7nC
- Rth(JC): 1.9K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 79W
- Id@TC 25C: -14A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 220A
更新于 2025-09-18