场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
- Id: 141A
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 50.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 90.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ
- RDS(on)@2.7V N-ch: 70.0mΩ
- RDS(on)@2.7V P-ch: 140.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 13.3nC
- Qg Typ P-ch: 14.7nC
- Qgd Typ N-ch: 5.3nC
- Qgd Typ P-ch: 6.0nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 8mΩ
- Id: 63A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
- Id: 87A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 82.0mΩ
- Id: 31A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
- Id: 50A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 41.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
- Qg(Typ): 53.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 24V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
- Id: 429A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
- Id: 4.0A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 380.0mΩ
- Id: 9.4A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 65mΩ
- Qg(Typ): 42nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 89W
- Id@TC 25C: -18A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
- Id: 71A
更新于 2026-08-06