场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 80V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 65℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 22.0nC
- Qg Typ P-ch: 23.0nC
- Qgd Typ N-ch: 6.4nC
- Qgd Typ P-ch: 5.9nC
- Rth(JA): 50℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.3mΩ
- Id: 87A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 12V
- Rth(JA): 86℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 5.5mΩ
- Id: 140A
电气特性 Features
- 双N沟道带肖特基的MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 16V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.0mΩ
- Rth(JA): 24℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
- Id: 90A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.2mΩ
- Id: 42A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
- Id: 28A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 170.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 200A
更新于 2026-09-28