场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 98mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
- Id: 9.5A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 5.5mΩ
- Id: 140A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 16V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.35mΩ
- Rth(JA): 19.1℃/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 600.0mΩ
- Qg(Typ): 2.4nC
- Rth(JC): 230 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.8mΩ
- Id: 43A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
- Qg(Typ): 8.3nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
- Id@TC 25C: -4.0A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
- Id: 61A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
- Id: 33A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
- Id: 270A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
- Id: 36A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
- Id: 41A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.8mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
- Id: 71A
更新于 2026-09-28