双N-双P沟道MOS管
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -12V
- Vgs(Max): 8V
- RDS(on) Max@4.5V: 17mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 150.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 6.9nC
- Qg Typ P-ch: 6.1nC
- Qgd Typ N-ch: 1.8nC
- Qgd Typ P-ch: 1.1nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 4.0mΩ
- Rth(JA): 37 (Q2)℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 29mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 60A双集成电源模块
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 18.4℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 4.9mΩ
- Rth(JA): 72℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道带肖特基的MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.45mΩ
- Rth(JA): 38 (Q2)℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 160mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 80.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 160.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 100.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 16.7nC
- Qg Typ P-ch: 16.7nC
- Qgd Typ N-ch: 5.3nC
- Qgd Typ P-ch: 6.0nC
- Rth(JA): 90℃/W
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 32mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 13.7mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 13.0mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.4mΩ
- Rth(JA): 40℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 65.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 170.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 105.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 24.0nC
- Qg Typ P-ch: 26.0nC
- Qgd Typ N-ch: 7.0nC
- Qgd Typ P-ch: 8.4nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 175.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 110.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 200.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 7.8nC
- Qg Typ P-ch: 7.5nC
- Qgd Typ N-ch: 2.5nC
- Qgd Typ P-ch: 2.5nC
- Rth(JA): 100℃/W
更新于 2026-06-16