IRFC9130

电气特性 Features

  • 场效应晶体管,TRANS JFET 30V

IRF7329

IRF7329

电气特性 Features

  • 双P沟道MOS管,Vbrdss: -12V,Vgs(Max): 8V,RDS(on) Max@4.5V: 17mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF7910

IRF7910

电气特性 Features

  • 双N沟道MOS管,Vbrdss: 12V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 15mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF7103

IRF7103

电气特性 Features

  • 双N沟道MOS管,Vbrdss: 50V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 200mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF7319

IRF7319

电气特性 Features

  • 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ,Qg Typ N-ch: 22.0nC,Qg Typ P-ch: 23.0nC,Qgd Typ N-ch: 6.4nC,Qgd Typ P-ch: 5.9nC,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF9956

IRF9956

电气特性 Features

  • 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 200mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF9953

IRF9953

电气特性 Features

  • 双P沟道MOS管,Vbrdss: -30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 400mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF7314

IRF7314

电气特性 Features

  • 双P沟道MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 58mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF7301

IRF7301

电气特性 Features

  • 双N沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 50mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF7105

IRF7105

电气特性 Features

  • 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 25V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 160.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 400.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 100.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 250.0mΩ,Qg Typ N-ch: 9.4nC,Qg Typ P-ch: 10.0nC,Qgd Typ N-ch: 3.1nC,Qgd Typ P-ch: 2.8nC,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF7324

IRF7324

电气特性 Features

  • 双P沟道MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 18mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF7303

IRF7303

电气特性 Features

  • 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 80mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF7309

IRF7309

电气特性 Features

  • 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 80.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 160.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 100.0mΩ,Qg Typ N-ch: 16.7nC,Qg Typ P-ch: 16.7nC,Qgd Typ N-ch: 5.3nC,Qgd Typ P-ch: 6.0nC,Rth(JA): 90℃/W

IRF7304

IRF7304

电气特性 Features

  • 双P沟道MOS管,Vbrdss: -20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on) Max@4.5V: 90mΩ,Rth(JA): 62.5℃/W

IRF7317

IRF7317

电气特性 Features

  • 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 12V,RDS(on)@4.5V N-ch: 29.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 58.0mΩ,RDS(on)@2.7V N-ch: 46.0mΩ,RDS(on)@2.7V P-ch: 98.0mΩ,Qg Typ N-ch: 18.0nC,Qg Typ P-ch: 19.0nC,Qgd Typ N-ch: 6.2nC,Qgd Typ P-ch: 7.7nC,Rth(JA): 62.5℃/W