场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 17.9mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.8mΩ
- Id: 47A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 185.0mΩ
- Id: 11A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 5.2mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.1mΩ
- Id: 170A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
- Id: 130A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
- Id: 48A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 40.0mΩ
- Qg(Typ): 33.3nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 380.0mΩ
- Id: 9.4A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 52.0mΩ
- Id: 18A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
- Id: 86A
电气特性 Features
- 双P沟道MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 23.8mΩ
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 40.0m?
- RDS(on) Max@4.5V: 66.0mΩ
- Qg(Typ): 12.0nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.6mΩ
更新于 2026-09-28