场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
- Id: 350A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
- Id: 131A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 22.0mΩ
- Id: 26A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
- Id: 197A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 86.0mΩ
- Qg(Typ): 8.3nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 2.0W
- Id@TC 25C: -4.0A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 34.5mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
- Id: 46A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 24V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
- Id: 429A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.8mΩ
- Id: 92A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
- Id: 19A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.8mΩ
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 400.0mΩ
- Qg(Typ): 7.2nC
- Rth(JC): 75 (JA)K/W
电气特性 Features
-
N沟道功率MOS管
-
Vbrdss: 20V
-
Vgs: 12V
更新于 2026-05-03