场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 190A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
- Id: 87A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 105mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
- Qg(Typ): 31nC
- Rth(JC): 1.9K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 79W
- Id@TC 25C: -14A
电气特性 Features
- 60A双集成电源模块
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 18.4℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
- Id: 97A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 115mΩ
- Id: 9.5A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 75.0mΩ
- Id: 16A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
- Id: 60A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.9mΩ
- Id: 67A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 65.0mΩ
- Qg(Typ): 8.0nC
- Rth(JC): 75 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 117A
更新于 2026-03-11