场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
- Id: 150A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
- Id: 104A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 480.0mΩ
- Qg(Typ): 18.0nC
- Rth(JC): 3.1K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 3.8W
- Id@TC 25C: -6.8A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.5mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
- Id: 33A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 82.0mΩ
- Id: 21A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 300.0mΩ
- Id: 9.5A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 235mΩ
- Id: 9.5A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: -32.0mΩ
- Qg(Typ): 12.0nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs(Max): 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 45mΩ
- Rth(JA): 86℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
- Id: 150A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 25V
- RDS(on) Max@10V: 17.5mΩ
- Qg(Typ): 14.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
- Id: 220A
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 46.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 98.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 29.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 58.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 22.0nC
- Qg Typ P-ch: 23.0nC
- Qgd Typ N-ch: 6.4nC
- Qgd Typ P-ch: 5.9nC
- Rth(JA): 50℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
- Id: 33A
更新于 2025-12-30