场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 10.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 65.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 170.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 105.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 24.0nC
- Qg Typ P-ch: 26.0nC
- Qgd Typ N-ch: 7.0nC
- Qgd Typ P-ch: 8.4nC
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
- Id: 195A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
- Id: 89A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 56.0mΩ
- Id: 33A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
- Id: 100A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 55.0mΩ
- Id: 42.6A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
- Id: 62A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
- Id: 62A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
- Id: 140A
电气特性 Features
-
N沟道功率MOS管
-
Vbrdss: 20V
-
Vgs: 12V
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 240.0mΩ
- Qg(Typ): 33nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
更新于 2026-09-28