场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 105mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 170mΩ
- Qg(Typ): 31nC
- Rth(JC): 1.9K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 79W
- Id@TC 25C: -14A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
- Id: 44A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
- Id: 43A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
- Id: 208A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 115mΩ
- Id: 9.5A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 64.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 103.0mΩ
- Qg(Typ): 4.8nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
电气特性 Features
- 双N沟道带肖特基的MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.45mΩ
- Rth(JA): 38 (Q2)℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 210.0mΩ
- Id: 9.1A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 59.9mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 6.5mΩ
- Id: 110A
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 80.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 160.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 100.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 16.7nC
- Qg Typ P-ch: 16.7nC
- Qgd Typ N-ch: 5.3nC
- Qgd Typ P-ch: 6.0nC
- Rth(JA): 90℃/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
- Qg(Typ): 39.3nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.3mΩ
- Id: 404A
更新于 2026-07-31