场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 600.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 1000.0mΩ
- Qg(Typ): 3.4nC
- Rth(JC): 230 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 36.0mΩ
- Id: 22A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 200.0mΩ
- Qg(Typ): 38.7nC
- Rth(JC): 1.9K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 79W
- Id@TC 25C: -14A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.0mΩ
- Id: 140A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.6mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 6.8mΩ
- Qg(Typ): 110nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 210.0mΩ
- Id: 9.1A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
- Id: 19A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
- Id: 270A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
- Id: 340A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
- Id: 98A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
- Id: 40A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
- Id: 105A
更新于 2026-08-09