场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.75mΩ
- Id: 340A
电气特性 Features
- 1N-1P双沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on)@4.5V N-ch: 80.0mΩ
- RDS(on)@4.5V P-ch: 160.0mΩ
- RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ
- RDS(on)@10V P-ch: 100.0mΩ
- Qg Typ N-ch: 16.7nC
- Qg Typ P-ch: 16.7nC
- Qgd Typ N-ch: 5.3nC
- Qgd Typ P-ch: 6.0nC
- Rth(JA): 90℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.6mΩ
- Id: 51A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 12.0mΩ
- Id: 56A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
- Id: 61A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 75mΩ
- Id: 10A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 25.0mΩ
- Id: 59A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
- Id: 36A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 24.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 190.0mΩ
- Id: 8.7A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 26.0mΩ
- Id: 55A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.4mΩ
- Id: 125A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 6.7mΩ
- Id: 85A
更新于 2026-09-28