场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 110.0mΩ
- Qg(Typ): 21.3nC
- Rth(JC): 2.2K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 57W
- Id@TC 25C: -18A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
- Qg(Typ): 21.0nC
- Rth(JC): 0.61K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 250W
- Id@TC 25C: -27A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.8mΩ
- Id: 31A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 11.9mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 19.7mΩ
- Qg(Typ): 18.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 45.0mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 70.0mΩ
- Qg(Typ): 39.3nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 60.0mΩ
- Qg(Typ): 42.0nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 110W
- Id@TC 25C: -31A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 100.0mΩ
- Id: 11A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
- Id: 110A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 42.0mΩ
- Id: 33A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
- Id: 43A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
- Id: 147A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 0.70mΩ
- Id: 270A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 12.5mΩ
- Id: 61A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.5mΩ
- Id: 91A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 1.1mΩ
- Id: 213A
更新于 2026-08-09