场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -30V
- Vgs: 25V
- RDS(on) Max@10V: 14.6mΩ
- RDS(on) Max@4.5V: 22.5mΩ
- Qg(Typ): 32.0nC
- Rth(JC): 3.8K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 33W
- Id@TC 25C: -38A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 250V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 33.0mΩ
- Id: 60A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 14.0mΩ
- Id: 64A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
- Id: 100A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.0mΩ
- Id: 210A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.0mΩ
- Id: 362A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@10V: 13.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.6mΩ
- Id: 210A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 0.95mΩ
- Id: 326A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2mΩ
- Id: 269A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.0mΩ
- Id: 98A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.7mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.4mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.7mΩ
- Id: 62A
更新于 2026-06-14