场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
- Id: 60A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
- Id: 51A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: -32.0mΩ
- Qg(Typ): 12.0nC
- Rth(JC): 62.5 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 44.0mΩ
- Id: 33A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 65.0mΩ
- Qg(Typ): 42.0nC
- Rth(JC): 1.4K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 89W
- Id@TC 25C: -28A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.3mΩ
- Id: 280A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16.0mΩ
- Id: 62A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
- Id: 180A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.05mΩ
- Id: 197A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.2mΩ
- Id: 150A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16.5mΩ
- Id: 53A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 5.3mΩ
- Id: 160A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
- Id: 19A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 23.0mΩ
- Id: 48A
更新于 2026-09-28