场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 62.5℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 250V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 46.0mΩ
- Id: 44A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 80V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.4mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 62.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
- Id: 18A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 150.0mΩ
- Qg(Typ): 21.0nC
- Rth(JC): 0.61K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 250W
- Id@TC 25C: -27A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 150V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 42mΩ
- Id: 24A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.9mΩ
- Id: 150A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 175.0mΩ
- Qg(Typ): 12.7nC
- Rth(JC): 3.3K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 45W
- Id@TC 25C: -12A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
- Id: 240A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.1mΩ
- Id: 293A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 80V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 15.0mΩ
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 200V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 54.0mΩ
- Id: 44A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -12V
- Vgs: 8V
- RDS(on) Max@4.5V: 7.0mΩ
- Qg(Typ): 91.0nC
- Rth(JC): 50 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.5mΩ
- Id: 208A
更新于 2026-08-09