场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.1mΩ
- Id: 45A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.7mΩ
- Id: 50A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 54.0mΩ
- Qg(Typ): 6.9nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 60V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 7.3mΩ
- Id: 53A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.0mΩ
- Id: 162A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.7mΩ
- Id: 350A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
- Id: 198A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.3mΩ
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -20V
- Vgs: 12V
- RDS(on) Max@4.5V: 270.0mΩ
- Qg(Typ): 5.4nC
- Rth(JC): 100 (JA)K/W
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -55V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 20.0mΩ
- Qg(Typ): 120.0nC
- Rth(JC): 0.75K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 200W
- Id@TC 25C: -74A
电气特性 Features
- 集成肖特基二极管的N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
- Id: 210A
电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 80V
- Vgs(Max): 20V
- Rth(JA): 50℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 30V
- RDS(on) Max@10V: 9.3mΩ
- Id: 43A
更新于 2026-08-07