场效应管(MosFET)
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 13.9mΩ
- Id: 61A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 8.4mΩ
- Id: 42A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2mΩ
- Id: 269A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 40V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.4mΩ
- Id: 380A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 2.2mΩ
电气特性 Features
- 双N沟道带肖特基的MOS管
- Vbrdss: 25V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 1.1mΩ
- Rth(JA): 35 (Q2)℃/W
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 300V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 69.0mΩ
- Id: 38A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 55V
- Vgs: 16V
- RDS(on) Max@10V: 40.0mΩ
- Id: 28A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 20V
- Vgs: 12V
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 1.95mΩ
- Id: 247A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 9.0mΩ
- Id: 90A
电气特性 Features
- P沟道功率MOS管
- Vbrdss: -100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 117.0mΩ
- Qg(Typ): 64.7nC
- Rth(JC): 1.1K/W
- Power Dissipation@TC 25C: 140W
- Id@TC 25C: -23A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 16.4mΩ
- Id: 35A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 100V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 4.5mΩ
- Id: 180A
电气特性 Features
- N沟道功率MOS管
- Vbrdss: 75V
- Vgs: 20V
- RDS(on) Max@10V: 3.5mΩ
- Id: 183A
更新于 2025-11-15