更新于 2025-03-07电气特性 Features
- 双N沟道MOS管
- Vbrdss: 30V
- Vgs(Max): 20V
- RDS(on) Max@4.5V: 20.4mΩ
- Rth(JA): 47℃/W
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- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 20V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 11.3m?Ω,Rth(JA): 62.5(JA)℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 30V,Vgs(Max): 20V,RDS(on) Max@4.5V: 4.0mΩ,Rth(JA): 37 (Q2)℃/W
- 1N-1P双沟道MOS管,Vbrdss: 55V,Vgs(Max): 20V,RDS(on)@4.5V N-ch: 65.0mΩ,RDS(on)@4.5V P-ch: 170.0mΩ,RDS(on)@10V N-ch: 50.0mΩ,RDS(on)@10V P-ch: 105.0mΩ,Qg Typ N-ch: 24.0nC,Qg Typ P-ch: 26.0nC,Qgd Typ N-ch: 7.0nC,Qgd Typ P-ch: 8.4nC,Rth(JA): 62.5℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 25V,Vgs(Max): 16V,RDS(on) Max@4.5V: 1.35mΩ,Rth(JA): 19.1℃/W
- 双N沟道MOS管,Vbrdss: 25V,Vgs(Max): 16V,RDS(on) Max@4.5V: 5.9mΩ,Rth(JA): 72℃/W